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IRLR2905TRPBF  与  IPD220N06L3 G  区别

型号 IRLR2905TRPBF IPD220N06L3 G
唯样编号 A36-IRLR2905TRPBF A-IPD220N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 40 mOhm 30 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@25A,10V 22mΩ
栅极电压Vgs ±16V 20V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 42A 30A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
下降时间 - 3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 36W
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
库存与单价
库存 304 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.377
100+ :  ¥2.596
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.377 

阶梯数 价格
20: ¥3.377
100: ¥2.596
304 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
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IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
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TO-252-3

暂无价格 0 对比

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